FDP8N50NZ

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор UNIFET2 500V
Вес и габариты
длина10.67 mm
Высота 16.3 мм
id - непрерывный ток утечки8 A
500
+
Бонус: 10 !
Бонусная программа
Итого: 500
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор UNIFET2 500V
Вес и габариты
длина10.67 mm
Высота 16.3 мм
id - непрерывный ток утечки8 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеUniFET
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.6.3 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности139 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора18 nC
размер фабричной упаковки1000
rds вкл - сопротивление сток-исток770 mOhms
серияFDP8N50NZ
технологияSi
типичное время задержки при включении45 ns
типичное время задержки выключения95 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
вес, г1.8
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток5 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания80 ns
время спада60 ns
Ширина4.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль