FDP8D5N10C, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 76 А, 0.0074 Ом, TO-220

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FDP8D5N10C
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыМОП-транзистор FET 100V 76A 8.5 mOhm
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки76 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
660
+
Бонус: 13.2 !
Бонусная программа
Итого: 660
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыМОП-транзистор FET 100V 76A 8.5 mOhm
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки76 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.68 S
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности107 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора34 nC
размер фабричной упаковки800
rds вкл - сопротивление сток-исток8.5 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении12 ns
типичное время задержки выключения18 ns
тип продуктаMOSFET
торговая маркаON Semiconductor
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
вес, г2
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания11 ns
время спада4 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль