FDP80N06, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 65А, Idm: 320А, 176Вт, TO220

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FDP80N06
МОП-транзистор 60V N-Channel
Вес и габариты
длина10.67 mm
Высота 16.3 мм
id - непрерывный ток утечки80 A
280
+
Бонус: 5.6 !
Бонусная программа
Итого: 280
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор 60V N-Channel
Вес и габариты
длина10.67 mm
Высота 16.3 мм
id - непрерывный ток утечки80 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеUniFET
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности176 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
размер фабричной упаковки1000
rds вкл - сопротивление сток-исток10 mOhms
серияFDP80N06
технологияSi
типичное время задержки при включении32 ns
типичное время задержки выключения136 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
вес, г2.03
vgs - напряжение затвор-исток20 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания259 ns
время спада113 ns
Ширина4.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль