FDP55N06

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор SINGLE N-CH 150V ULTRAFET TRENCH
Вес и габариты
длина10.67 mm
Высота 16.3 мм
id - непрерывный ток утечки55 A
500
+
Бонус: 10 !
Бонусная программа
Итого: 500
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор SINGLE N-CH 150V ULTRAFET TRENCH
Вес и габариты
длина10.67 mm
Высота 16.3 мм
id - непрерывный ток утечки55 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.33 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности114 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
размер фабричной упаковки1000
rds вкл - сопротивление сток-исток22 mOhms
серияFDP55N06
технологияSi
типичное время задержки при включении30 ns
типичное время задержки выключения70 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
ТипMOSFET
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
вес, г1.8
vgs - напряжение затвор-исток25 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания130 ns
время спада95 ns
Ширина4.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль