Name: FDP55N06, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 34,8А; Idm: 220А; 114Вт; TO220-3
SKU: FDP55N06

МОП-транзистор SINGLE N-CH 150V ULTRAFET TRENCH

Подробное описание

200 ₽

– +

Бонус: 4 !

Бонусная программа

Итого: 200 ₽

Купить

МОП-транзистор SINGLE N-CH 150V ULTRAFET TRENCH

Вес и габариты
длина	10.67 mm
Высота	16.3 мм
id - непрерывный ток утечки	55 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	1 Channel
конфигурация	Single
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	33 S
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	114 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
размер фабричной упаковки	1000
rds вкл - сопротивление сток-исток	22 mOhms
серия	FDP55N06
технология	Si
типичное время задержки при включении	30 ns
типичное время задержки выключения	70 ns
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	1 N-Channel
торговая марка	ON Semiconductor / Fairchild
Тип	MOSFET
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-220-3
vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
вес, г	2.03
vgs - напряжение затвор-исток	25 V
вид монтажа	Through Hole
время нарастания	130 ns
время спада	95 ns
Ширина	4.7 мм

Отзывов нет

Кнопки