FDP4D5N10C

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор FET 100V 128A 4.5 mOhm
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки128 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
1 700
+
Бонус: 34 !
Бонусная программа
Итого: 1 700
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор FET 100V 128A 4.5 mOhm
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки128 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.134 S
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности150 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора68 nC
размер фабричной упаковки800
rds вкл - сопротивление сток-исток4.5 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении29 ns
типичное время задержки выключения41 ns
тип продуктаMOSFET
торговая маркаON Semiconductor
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания49 ns
время спада13 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль