Name: FDP33N25, Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
SKU: FDP33N25

UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength.

Подробное описание

Вес и габариты
channel mode	Enhancement
channel type	N
maximum continuous drain current	33 A

Все характеристики

190 ₽

– +

Бонус: 3.8 !

Бонусная программа

Итого: 190 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Вес и габариты
channel mode	Enhancement
channel type	N
maximum continuous drain current	33 A
maximum drain source resistance	94 mΩ
maximum drain source voltage	250 V
maximum gate source voltage	-30 V, +30 V
maximum operating temperature	+150 C
maximum power dissipation	235 W
minimum gate threshold voltage	3V
minimum operating temperature	-55 C
mounting type	Through Hole
number of elements per chip	1
package type	TO-220AB
pin count	3
series	UniFET
transistor configuration	Single
transistor material	Si
typical gate charge @ vgs	36.8 nC 10 V
width	4.83mm

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки