FDP22N50N, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 13,2А, 312,5Вт, TO220AB

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FDP22N50N
N-канальный МОП-транзистор UniFET ™, Fairchild Semiconductor МОП-транзистор UniFET ™ - это семейство высоковольтных МОП-транзисторов Fairchild Semiconductor. Он имеет наименьшее сопротивление в открытом состоянии среди планарных полевых МОП-транзисторов, а также обеспечивает превосходные характеристики переключения и более высокую устойчивость к лавинной энергии. Кроме того, внутренний антистатический диод затвор-исток позволяет MOSFET-транзистору UniFET-II ™ выдерживать импульсное напряжение HBM более...
ON Semiconductor
Основные
ПроизводительON Semiconductor
Вес и габариты
число контактов3
длина9.9мм
770
+
Бонус: 15.4 !
Бонусная программа
Итого: 770
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
N-канальный МОП-транзистор UniFET ™, Fairchild Semiconductor МОП-транзистор UniFET ™ - это семейство высоковольтных МОП-транзисторов Fairchild Semiconductor. Он имеет наименьшее сопротивление в открытом состоянии среди планарных полевых МОП-транзисторов, а также обеспечивает превосходные характеристики переключения и более высокую устойчивость к лавинной энергии. Кроме того, внутренний антистатический диод затвор-исток позволяет MOSFET-транзистору UniFET-II ™ выдерживать импульсное напряжение HBM более 2000 В. Полевые МОП-транзисторы UniFET ™ подходят для применения в импульсных преобразователях мощности, таких как коррекция коэффициента мощности (PFC), плоские дисплеи (FPD) Питание телевизора, ATX (Advanced Technology eXtended) и электронные балласты для ламп.
Основные
ПроизводительON Semiconductor
Вес и габариты
число контактов3
длина9.9мм
Высота 9.2 мм
категорияМощный МОП-транзистор
количество элементов на ис1
максимальная рабочая температура+150 °C
максимальное напряжение сток-исток500 В
максимальное напряжение затвор-исток-30 V, +30 V
максимальное рассеяние мощности312,5 Вт
максимальное сопротивление сток-исток220 мОм
максимальный непрерывный ток стока22 A
материал транзистораКремний
минимальная рабочая температура-55 °C
minimum gate threshold voltage3V
номер каналаПоднятие
размеры9.9 x 4.5 x 9.2мм
серияUniFET
типичная входная емкость при vds2456 пФ при 25 В
типичное время задержки включения22 ns
типичное время задержки выключения48 нс
типичный заряд затвора при vgs49 nC @ 10 V
тип каналаN
тип корпусаTO-220
тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
transistor configurationОдинарный
вес, г2.03
Ширина4.5 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль