FDP20N50F, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 20 А, 0.22 Ом, TO-220, Through Hole

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FDP20N50F
МОП-транзистор 500V N-Channel
Вес и габариты
длина10.67 mm
Высота 16.3 мм
id - непрерывный ток утечки20 A
680
+
Бонус: 13.6 !
Бонусная программа
Итого: 680
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор 500V N-Channel
Вес и габариты
длина10.67 mm
Высота 16.3 мм
id - непрерывный ток утечки20 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеUniFET
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности250 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора65 nC
размер фабричной упаковки1000
rds вкл - сопротивление сток-исток260 mOhms
серияFDP20N50F
технологияSi
типичное время задержки при включении45 ns
типичное время задержки выключения100 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
вес, г2.957
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания120 ns
время спада60 ns
Ширина4.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль