FDP16AN08A0

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 75V 58a 0.016 Ohms/VGS=10V
Вес и габариты
длина10.67 mm
Высота 16.3 мм
id - непрерывный ток утечки58 A
590
+
Бонус: 11.8 !
Бонусная программа
Итого: 590
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 75V 58a 0.016 Ohms/VGS=10V
Вес и габариты
длина10.67 mm
Высота 16.3 мм
id - непрерывный ток утечки58 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеPowerTrench
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности135 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора42 nC
размер фабричной упаковки800
rds вкл - сопротивление сток-исток13 mOhms
серияFDP16AN08A0
технологияSi
типичное время задержки при включении8 ns
типичное время задержки выключения28 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
ТипMOSFET
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
vds - напряжение пробоя сток-исток75 V
вес, г1.8
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания82 ns
время спада30 ns
Ширина4.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль