FDP12N50NZ, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 11.5 А, 0.46 Ом, TO-220

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FDP12N50NZ
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыМОП-транзистор 500V N-Chan МОП-транзистор UniFET-II
Вес и габариты
длина10.67 mm
Высота 16.3 мм
id - непрерывный ток утечки11.5 A
390
+
Бонус: 7.8 !
Бонусная программа
Итого: 390
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыМОП-транзистор 500V N-Chan МОП-транзистор UniFET-II
Вес и габариты
длина10.67 mm
Высота 16.3 мм
id - непрерывный ток утечки11.5 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеUniFET
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.12 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности170 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора23 nC
размер фабричной упаковки800
rds вкл - сопротивление сток-исток460 mOhms
серияFDP12N50NZ
технологияSi
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
вес, г2
vgs - напряжение затвор-исток25 V, + 25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток5 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания50 ns
время спада45 ns
Ширина4.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль