Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 500V N-Chan МОП-транзистор UniFET-II

Подробное описание

550 ₽

– +

Бонус: 11 !

Бонусная программа

Итого: 550 ₽

Купить

Вес и габариты
длина	10.67 mm
Высота	16.3 мм
id - непрерывный ток утечки	11.5 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	1 Channel
коммерческое обозначение	UniFET
конфигурация	Single
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	12 S
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	170 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
qg - заряд затвора	23 nC
размер фабричной упаковки	800
rds вкл - сопротивление сток-исток	460 mOhms
серия	FDP12N50NZ
технология	Si
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	1 N-Channel
торговая марка	ON Semiconductor / Fairchild
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-220-3
vds - напряжение пробоя сток-исток	500 V
вес, г	1.8
vgs - напряжение затвор-исток	25 V, + 25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	5 V
вид монтажа	Through Hole
время нарастания	50 ns
время спада	45 ns
Ширина	4.7 мм

Отзывов нет

Кнопки

FDP12N50NZ