Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Smart Power Module

Подробное описание

Вес и габариты
длина	10.67 mm
другие названия товара №	FDP053N08B_F102
Высота	16.3 мм

Все характеристики

660 ₽

– +

Бонус: 13.2 !

Бонусная программа

Итого: 660 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Вес и габариты
длина	10.67 mm
другие названия товара №	FDP053N08B_F102
Высота	16.3 мм
id - непрерывный ток утечки	120 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	1 Channel
конфигурация	Single
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	100 S
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	146 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
qg - заряд затвора	65.4 nC
размер фабричной упаковки	800
rds вкл - сопротивление сток-исток	5.3 mOhms
серия	FDP053N08B
технология	Si
типичное время задержки при включении	32 ns
типичное время задержки выключения	44 ns
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	1 N-Channel
торговая марка	ON Semiconductor / Fairchild
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-220-3
vds - напряжение пробоя сток-исток	80 V
вес, г	1.8
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4.5 V
вид монтажа	Through Hole
время нарастания	30 ns
время спада	16 ns
Ширина	4.7 мм

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

FDP053N08B-F102