Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Smart Power Module
Вес и габариты
длина
10.67 mm
другие названия товара №
FDP053N08B_F102
Высота
16.3 мм
id - непрерывный ток утечки
120 A
канальный режим
Enhancement
категория продукта
МОП-транзистор
количество каналов
1 Channel
конфигурация
Single
крутизна характеристики прямой передачи - мин.
100 S
максимальная рабочая температура
+ 175 C
минимальная рабочая температура
55 C
pd - рассеивание мощности
146 W
подкатегория
MOSFETs
полярность транзистора
N-Channel
qg - заряд затвора
65.4 nC
размер фабричной упаковки
800
rds вкл - сопротивление сток-исток
5.3 mOhms
серия
FDP053N08B
технология
Si
типичное время задержки при включении
32 ns
типичное время задержки выключения
44 ns
тип продукта
MOSFET
тип транзистора
1 N-Channel
торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild
упаковка
Tube
упаковка / блок
TO-220-3
vds - напряжение пробоя сток-исток
80 V
вес, г
1.8
vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
4.5 V
вид монтажа
Through Hole
время нарастания
30 ns
время спада
16 ns
Ширина
4.7 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26