FDN86501LZ

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор FET 100V 116.0 MOHM SSOT3
Вес и габариты
длина2.9 mm
Высота 1.12 мм
id - непрерывный ток утечки2.6 A
630
+
Бонус: 12.6 !
Бонусная программа
Итого: 630
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор FET 100V 116.0 MOHM SSOT3
Вес и габариты
длина2.9 mm
Высота 1.12 мм
id - непрерывный ток утечки2.6 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеPowerTrench
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности1.5 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора3.8 nC
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток198 mOhms
серияFDN86501LZ
технологияSi
типичное время задержки при включении4.4 ns
типичное время задержки выключения9.6 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковка / блокSSOT-3
vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
вес, г0.03
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания1.2 ns
время спада1.2 ns
Ширина1.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль