FDN8601

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
МОП-транзистор 100V N-Channel PowerTrench МОП-транзистор
Вес и габариты
configurationSingle
длина2.9 mm
factory pack quantity3000
290
+
Бонус: 5.8 !
Бонусная программа
Итого: 290
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор 100V N-Channel PowerTrench МОП-транзистор
Вес и габариты
configurationSingle
длина2.9 mm
factory pack quantity3000
fall time3.4 ns
forward transconductance - min8 S
Высота 1.12 мм
id - continuous drain current2.7 A
id - непрерывный ток утечки2.7 A
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеPowerTrench
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.8 S
manufacturerON Semiconductor
mounting styleSMD/SMT
number of channels1 Channel
package / caseSSOT-3
packagingCut Tape or Reel
pd - power dissipation1.5 W
pd - рассеивание мощности1.5 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
product categoryMOSFET
product typeMOSFET
qg - gate charge3 nC
qg - заряд затвора3 nC
размер фабричной упаковки3000
rds on - drain-source resistance85.4 mOhms
rds вкл - сопротивление сток-исток85.4 mOhms
rise time1.3 ns
seriesFDN8601
серияFDN8601
subcategoryMOSFETs
technologySi
технологияSi
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
tradenamePowerTrench
transistor polarityN-Channel
transistor type1 N-Channel
упаковка / блокSSOT-3
vds - drain-source breakdown voltage100 V
vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
vgs - gate-source voltage20 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - gate-source threshold voltage3 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания1.3 ns
время спада3.4 ns
Ширина1.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль