FDN357N, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 1,9А, 500мВт, SuperSOT-3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FDN357N
ON Semiconductor
Основные
ПроизводительON Semiconductor
Вес и габариты
число контактов3
длина2.92мм
100
+
Бонус: 2 !
Бонусная программа
Итого: 100
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Основные
ПроизводительON Semiconductor
Вес и габариты
число контактов3
длина2.92мм
Высота 0.94 мм
категорияМощный МОП-транзистор
количество элементов на ис1
максимальная рабочая температура+150 °C
максимальное напряжение сток-исток30 V
максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
максимальное рассеяние мощности500 мВт
максимальное сопротивление сток-исток600 мΩ
максимальный непрерывный ток стока1,9 A
материал транзистораSI
минимальная рабочая температура-55 °C
minimum gate threshold voltage1V
номер каналаПоднятие
размеры2.92 x 1.4 x 0.94мм
типичная входная емкость при vds235 пФ при 10 В
типичное время задержки включения5 нс
типичное время задержки выключения12 нс
типичный заряд затвора при vgs4,2 нКл при 5 В
тип каналаN
тип корпусаSOT-23
тип монтажаПоверхностный монтаж
transistor configurationОдинарный
вес, г0.03
Ширина1.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль