Name: FDN357N, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 1,9А, 500мВт, SuperSOT-3
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDN357N

100 ₽

– +

Бонус: 2 !

Бонусная программа

Итого: 100 ₽

Купить

► Купить FDN357N, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 1,9А, 500мВт, SuperSOT-3 в интернет-магазине ООО «Телеметрия».

■ Категория: Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) | Бренд: ON Semiconductor

★ Цена: 100 руб.

Почему выбирают нас:

☎ Заказать: +7 (929) 433-44-45

Основные
Производитель	ON Semiconductor
Вес и габариты
число контактов	3
длина	2.92мм
Высота	0.94 мм
категория	Мощный МОП-транзистор
количество элементов на ис	1
максимальная рабочая температура	+150 °C
максимальное напряжение сток-исток	30 V
максимальное напряжение затвор-исток	-20 В, +20 В
максимальное рассеяние мощности	500 мВт
максимальное сопротивление сток-исток	600 мΩ
максимальный непрерывный ток стока	1,9 A
материал транзистора	SI
минимальная рабочая температура	-55 °C
minimum gate threshold voltage	1V
номер канала	Поднятие
размеры	2.92 x 1.4 x 0.94мм
типичная входная емкость при vds	235 пФ при 10 В
типичное время задержки включения	5 нс
типичное время задержки выключения	12 нс
типичный заряд затвора при vgs	4,2 нКл при 5 В
тип канала	N
тип корпуса	SOT-23
тип монтажа	Поверхностный монтаж
transistor configuration	Одинарный
вес, г	0.03
Ширина	1.4 мм

Отзывов нет

Кнопки