FDN337N

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Решения для управления питанием в облаке Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
channel typeN Channel
configuration:Single
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Решения для управления питанием в облаке Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
channel typeN Channel
configuration:Single
drain source on state resistance0.054Ом
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
fall time:10 ns
forward transconductance - min:13 S
id - continuous drain current:2.2 A
количество выводов3вывод(-ов)
максимальная рабочая температура150 C
manufacturer:onsemi
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
монтаж транзистораSurface Mount
mounting style:SMD/SMT
напряжение истока-стока vds30В
напряжение измерения rds(on)4.5В
непрерывный ток стока2.2А
number of channels:1 Channel
package/case:SSOT-3
packaging:Reel, Cut Tape, MouseReel
part # aliases:FDN337N_NL
pd - power dissipation:500 mW
полярность транзистораN Канал
пороговое напряжение vgs700мВ
power dissipation500мВт
product:MOSFET Small Signal
product category:MOSFET
product type:MOSFET
qg - gate charge:9 nC
рассеиваемая мощность500мВт
rds on - drain-source resistance:65 mOhms
rise time:10 ns
series:FDN337N
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.054Ом
стиль корпуса транзистораSuperSOT
subcategory:MOSFETs
technology:Si
transistor polarity:N-Channel
transistor type:1 N-Channel
type:FET
typical turn-off delay time:17 ns
typical turn-on delay time:4 ns
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
vds - drain-source breakdown voltage:30 V
vgs - gate-source voltage:-8 V, +8 V
vgs th - gate-source threshold voltage:400 mV
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль