FDMS86150ET100

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор FET 100V 4.85 MOHM PQFN56
Вес и габариты
длина3.3 mm
Высота 0.8 мм
id - непрерывный ток утечки128 A
2 070
+
Бонус: 41.4 !
Бонусная программа
Итого: 2 070
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор FET 100V 4.85 MOHM PQFN56
Вес и габариты
длина3.3 mm
Высота 0.8 мм
id - непрерывный ток утечки128 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеPowerTrench Power Clip
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.53 S
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности187 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора44 nC
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток3.9 mOhms
серияFDMS86150ET100
технологияSi
типичное время задержки при включении18 ns
типичное время задержки выключения28 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковка / блокPower-56-8
vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
вес, г0.0565
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания8.3 ns
время спада6 ns
Ширина3.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль