Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 1, корпус: TDFN8, АБМОП-транзистор PT5 100V/20V Nch PowerTrench МОП-транзистор
Вес и габариты
channel type
N Channel
длина
3.3 mm
drain source on state resistance
0.0039Ом
Высота
0.8 мм
id - непрерывный ток утечки
60 A
категория продукта
МОП-транзистор
количество каналов
1 Channel
количество выводов
8вывод(-ов)
коммерческое обозначение
PowerTrench Power Clip
конфигурация
Single
линейка продукции
PowerTrench
максимальная рабочая температура
+ 150 C
минимальная рабочая температура
55 C
монтаж транзистора
Surface Mount
напряжение истока-стока vds
100В
напряжение измерения rds(on)
10В
непрерывный ток стока
80А
pd - рассеивание мощности
156 W
подкатегория
MOSFETs
полярность транзистора
N-Channel
пороговое напряжение vgs
3В
power dissipation
156Вт
рассеиваемая мощность
156Вт
размер фабричной упаковки
3000
rds вкл - сопротивление сток-исток
4.85 mOhms
серия
FDMS86150
сопротивление во включенном состоянии rds(on)
0.0039Ом
стиль корпуса транзистора
Power 56
технология
Si
тип продукта
MOSFET
торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild
упаковка / блок
Power-56-8
уровень чувствительности к влажности (msl)
MSL 1-Безлимитный
vds - напряжение пробоя сток-исток
100 V
вес, г
0.12
вид монтажа
SMD/SMT
Ширина
3.3 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26