FDMS3602AS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
МОП-транзистор DUAL N-CH. ER TRENCH MO
Вес и габариты
длина6 mm
Высота 1.1 мм
id - непрерывный ток утечки15 A, 26 A
500
+
Бонус: 10 !
Бонусная программа
Итого: 500
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор DUAL N-CH. ER TRENCH MO
Вес и габариты
длина6 mm
Высота 1.1 мм
id - непрерывный ток утечки15 A, 26 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов2 Channel
коммерческое обозначениеPower Stage PowerTrench
конфигурацияDual
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности2.5 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора27 nC, 64 nC
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток2.2 mOhms, 5.6 mOhms
серияFDMS3602AS
технологияSi
тип продуктаMOSFET
тип транзистора2 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокPower-56-8
vds - напряжение пробоя сток-исток25 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
вид монтажаSMD/SMT
Ширина5 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль