FDMD82100

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор PT5 100/20V Dual Nch Power Trench МОП-транзистор
Вес и габариты
длина5 mm
Высота 0.8 мм
id - непрерывный ток утечки7 A
1 140
+
Бонус: 22.8 !
Бонусная программа
Итого: 1 140
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор PT5 100/20V Dual Nch Power Trench МОП-транзистор
Вес и габариты
длина5 mm
Высота 0.8 мм
id - непрерывный ток утечки7 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов2 Channel
коммерческое обозначениеPowerTrench Power Clip
конфигурацияDual
крутизна характеристики прямой передачи - мин.18 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности2.1 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора17 nC
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток35 mOhms
серияFDMD82100
технологияSi
типичное время задержки при включении9.4 ns
типичное время задержки выключения15 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора2 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковка / блокPQFN-12
vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
вес, г0.0823
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания3.2 ns
время спада3.3 ns
Ширина3.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль