FDMC8010

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор FET 30V 1.3 MOHM PQFN33
Вес и габариты
channel typeN Channel
длина3.3 mm
drain source on state resistance900мкОм
700
+
Бонус: 14 !
Бонусная программа
Итого: 700
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор FET 30V 1.3 MOHM PQFN33
Вес и габариты
channel typeN Channel
длина3.3 mm
drain source on state resistance900мкОм
Высота 0.8 мм
id - непрерывный ток утечки166 A
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
количество выводов8вывод(-ов)
коммерческое обозначениеPowerTrench Power Clip
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение истока-стока vds30В
напряжение измерения rds(on)10В
непрерывный ток стока75А
pd - рассеивание мощности54 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
пороговое напряжение vgs1.5В
power dissipation54Вт
qg - заряд затвора32 nC, 67 nC
рассеиваемая мощность54Вт
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток1.8 mOhms
серияFDMC8010
сопротивление во включенном состоянии rds(on)900мкОм
стиль корпуса транзистораPower 33
технологияSi
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковка / блокPower-33-8
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
вес, г0.1527
вид монтажаSMD/SMT
Ширина3.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль