FDMC012N03

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор PT9 N-ch 30V/12V Power Trench МОП-транзистор
Вес и габариты
длина3.3 mm
Высота 0.8 мм
id - непрерывный ток утечки35 A
890
+
Бонус: 17.8 !
Бонусная программа
Итого: 890
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор PT9 N-ch 30V/12V Power Trench МОП-транзистор
Вес и габариты
длина3.3 mm
Высота 0.8 мм
id - непрерывный ток утечки35 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеPower Clip
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.220 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности64 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора78 nC
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток1.23 mOhms
серияFDMC012N03
технологияSi
типичное время задержки при включении16 ns
типичное время задержки выключения43 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковка / блокPower-33-8
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
вес, г0.1527
vgs - напряжение затвор-исток12 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.3 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания5.5 ns
время спада4.5 ns
Ширина3.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль