Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Подробное описание

Вес и габариты
channel type	N Channel
drain source on state resistance	0.017Ом
количество выводов	6вывод(-ов)

260 ₽

- +

Бонус: 5.2 !

Бонусная программа

Итого: 260 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Вес и габариты
channel type	N Channel
drain source on state resistance	0.017Ом
количество выводов	6вывод(-ов)
линейка продукции	PowerTrench
максимальная рабочая температура	150 C
монтаж транзистора	Surface Mount
напряжение истока-стока vds	20В
напряжение измерения rds(on)	4.5В
непрерывный ток стока	9.5А
полярность транзистора	N Канал
пороговое напряжение vgs	700мВ
power dissipation	2.4Вт
рассеиваемая мощность	2.4Вт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.017Ом
стиль корпуса транзистора	MicroFET
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный
вес, г	0.08

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

FDMA410NZ, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 20 В, 9.5 А, 0.017 Ом, MicroFET, Surface Mount