FDMA3023PZ, MOSFET 30V 2.9A Dual P Ch PowerTrench

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FDMA3023PZ
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET Решения для управления питанием в облаке Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
configuration:Dual
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
270
+
Бонус: 5.4 !
Бонусная программа
Итого: 270
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET Решения для управления питанием в облаке Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
configuration:Dual
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
fall time:4 ns
id - continuous drain current:2.9 A
manufacturer:onsemi
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
number of channels:2 Channel
package/case:MicroFET-6
packaging:Reel, Cut Tape, MouseReel
pd - power dissipation:1.4 W
product:MOSFET Small Signal
product category:MOSFET
product type:MOSFET
qg - gate charge:11 nC
rds on - drain-source resistance:90 mOhms
rise time:4 ns
series:FDMA3023PZ
subcategory:MOSFETs
technology:Si
tradename:PowerTrench
transistor polarity:P-Channel
transistor type:2 P-Channel
typical turn-off delay time:62 ns
typical turn-on delay time:5 ns
vds - drain-source breakdown voltage:30 V
вес, г0.04
vgs - gate-source voltage:-8 V, +8 V
vgs th - gate-source threshold voltage:1 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль