FDG6308P, MOSFET Dual P-Ch 1.8V Spec Power Trench

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FDG6308P
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET Решения для управления питанием в облаке Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
configuration:Dual
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
170
+
Бонус: 3.4 !
Бонусная программа
Итого: 170
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET Решения для управления питанием в облаке Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
configuration:Dual
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
fall time:15 ns
forward transconductance - min:2.1 S
id - continuous drain current:600 mA
manufacturer:onsemi
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
number of channels:2 Channel
package/case:SOT-323-6
packaging:Reel, Cut Tape, MouseReel
part # aliases:FDG6308P_NL
pd - power dissipation:300 mW
product:MOSFET Small Signal
product category:MOSFET
product type:MOSFET
qg - gate charge:2.5 nC
rds on - drain-source resistance:400 mOhms
rise time:15 ns
series:FDG6308P
subcategory:MOSFETs
technology:Si
tradename:PowerTrench
transistor polarity:P-Channel
transistor type:2 P-Channel
type:MOSFET
typical turn-off delay time:7 ns
typical turn-on delay time:5 ns
vds - drain-source breakdown voltage:20 V
вес, г0.03
vgs - gate-source voltage:-8 V, +8 V
vgs th - gate-source threshold voltage:1.5 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль