FDD8770

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор LOW VOLTAGE
Вес и габариты
длина6.73 mm
Высота 2.39 мм
id - непрерывный ток утечки35 A
300
+
Бонус: 6 !
Бонусная программа
Итого: 300
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор LOW VOLTAGE
Вес и габариты
длина6.73 mm
Высота 2.39 мм
id - непрерывный ток утечки35 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеPowerTrench
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности115 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
размер фабричной упаковки2500
rds вкл - сопротивление сток-исток3.3 mOhms
серияFDD8770
технологияSi
типичное время задержки при включении10 ns
типичное время задержки выключения49 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
ТипMOSFET
упаковка / блокTO-252-3
vds - напряжение пробоя сток-исток25 V
вес, г0.2604
vgs - напряжение затвор-исток20 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания12 ns
время спада25 ns
Ширина6.22 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль