Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Подробное описание

Вес и габариты
channel type	N Channel
drain source on state resistance	0.0033Ом
количество выводов	3вывод(-ов)

Цена по запросу

- +

Бонус: 0 !

Бонусная программа

Итого: 0 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Вес и габариты
channel type	N Channel
drain source on state resistance	0.0033Ом
количество выводов	3вывод(-ов)
квалификация	AEC-Q101
линейка продукции	PowerTrench
максимальная рабочая температура	175 C
монтаж транзистора	Surface Mount
напряжение истока-стока vds	80В
напряжение измерения rds(on)	10В
непрерывный ток стока	100А
полярность транзистора	N Канал
пороговое напряжение vgs	3В
power dissipation	227Вт
рассеиваемая мощность	227Вт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.0033Ом
стандарты автомобильной промышленности	AEC-Q101
стиль корпуса транзистора	TO-252(DPAK)
вес, г	0.4

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

FDD86367-F085, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 80 В, 100 А, 0.0033 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mou