FDD86367-F085, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 80 В, 100 А, 0.0033 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mou

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FDD86367-F085
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.0033Ом
количество выводов3вывод(-ов)
550
+
Бонус: 11 !
Бонусная программа
Итого: 550
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.0033Ом
количество выводов3вывод(-ов)
квалификацияAEC-Q101
линейка продукцииPowerTrench
максимальная рабочая температура175 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение истока-стока vds80В
напряжение измерения rds(on)10В
непрерывный ток стока100А
полярность транзистораN Канал
пороговое напряжение vgs
power dissipation227Вт
рассеиваемая мощность227Вт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.0033Ом
стандарты автомобильной промышленностиAEC-Q101
стиль корпуса транзистораTO-252(DPAK)
вес, г0.4
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль