FDD86102LZ

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 100V N-Channel PowerTrench МОП-транзистор
Вес и габариты
длина6.73 mm
Высота 2.39 мм
id - непрерывный ток утечки42 A
460
+
Бонус: 9.2 !
Бонусная программа
Итого: 460
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 100V N-Channel PowerTrench МОП-транзистор
Вес и габариты
длина6.73 mm
Высота 2.39 мм
id - непрерывный ток утечки42 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеPowerTrench
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.31 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности54 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора26 nC
размер фабричной упаковки2500
rds вкл - сопротивление сток-исток31 mOhms
серияFDD86102LZ
технологияSi
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковка / блокTO-252-3
vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
вес, г0.2604
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
вид монтажаSMD/SMT
Ширина6.22 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль