FDD770N15A

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Вес и габариты
configurationSingle
factory pack quantity2500
fall time2.8 ns
420
+
Бонус: 8.4 !
Бонусная программа
Итого: 420
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Вес и габариты
configurationSingle
factory pack quantity2500
fall time2.8 ns
forward transconductance - min20 S
id - continuous drain current18 A
manufacturerON Semiconductor
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
number of channels1 Channel
package / caseTO-252-3
packagingCut Tape or Reel
pd - power dissipation56.8 W
product categoryMOSFET
product typeMOSFET
qg - gate charge8.4 nC
rds on - drain-source resistance61 mOhms
rise time3.1 ns
seriesFDD770N15A
subcategoryMOSFETs
technologySi
tradenamePowerTrench
transistor polarityN-Channel
transistor type1 N-Channel
typical turn-off delay time15.8 ns
typical turn-on delay time10.3 ns
vds - drain-source breakdown voltage150 V
vgs - gate-source voltage20 V
vgs th - gate-source threshold voltage4 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль