FDD6N50TM-WS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 500V 6A N-Channel
Вес и габариты
длина6.73 mm
другие названия товара №FDD6N50TM_WS
Высота 2.39 мм
460
+
Бонус: 9.2 !
Бонусная программа
Итого: 460
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 500V 6A N-Channel
Вес и габариты
длина6.73 mm
другие названия товара №FDD6N50TM_WS
Высота 2.39 мм
id - непрерывный ток утечки6 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности89 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора16.6 nC
размер фабричной упаковки2500
rds вкл - сопротивление сток-исток760 mOhms
серияFDD6N50
технологияSi
типичное время задержки при включении6 ns
типичное время задержки выключения25 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковка / блокTO-252-3
vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
вес, г0.2604
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания55 ns
время спада35 ns
Ширина6.22 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль