FDD5N50FTM-WS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор UniFET 500V 3.5A
Вес и габариты
длина6.73 mm
другие названия товара №FDD5N50FTM_WS
Высота 2.39 мм
290
+
Бонус: 5.8 !
Бонусная программа
Итого: 290
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор UniFET 500V 3.5A
Вес и габариты
длина6.73 mm
другие названия товара №FDD5N50FTM_WS
Высота 2.39 мм
id - непрерывный ток утечки3.5 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности40 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
размер фабричной упаковки2500
rds вкл - сопротивление сток-исток1.55 Ohms
серияFDD5N50F
технологияSi
типичное время задержки при включении13 ns
типичное время задержки выключения28 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковка / блокTO-252-3
vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
вес, г0.2604
vgs - напряжение затвор-исток30 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания22 ns
время спада20 ns
Ширина6.22 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль