FDC638P

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Производитель: ON Semiconductor Категория продукта: МОП-транзистор RoHS: Подробности Технология: Si Вид монтажа: SMD/SMT Упаковка / блок: SSOT-6 Полярность транзистора: P-Channel Количество каналов: 1 Channel Vds - напряжение пробоя сток-исток: 20 V Id - непрерывный ток утечки: 4.5 A Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 48 mOhms Vgs - напряжение затвор-исток: - 12 V, + 12 V Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 1.5 V Qg - заряд затвора: 14 nC Минимальная рабочая температура: - 55 C Максимальная...
Корпус
длина2.9 mm
другие названия товара №FDC638P_NL
22
+
Бонус: 0.44 !
Бонусная программа
Итого: 22
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Производитель: ON Semiconductor Категория продукта: МОП-транзистор RoHS: Подробности Технология: Si Вид монтажа: SMD/SMT Упаковка / блок: SSOT-6 Полярность транзистора: P-Channel Количество каналов: 1 Channel Vds - напряжение пробоя сток-исток: 20 V Id - непрерывный ток утечки: 4.5 A Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 48 mOhms Vgs - напряжение затвор-исток: - 12 V, + 12 V Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 1.5 V Qg - заряд затвора: 14 nC Минимальная рабочая температура: - 55 C Максимальная рабочая температура: + 150 C Pd - рассеивание мощности: 1.6 W Канальный режим: Enhancement Коммерческое обозначение: PowerTrench Упаковка: Cut Tape Упаковка: MouseReel Упаковка: Reel Конфигурация: Single Высота: 1.1 mm Длина: 2.9 mm Продукт: MOSFET Small Signal Серия: FDC638P Тип транзистора: 1 P-Channel Тип: MOSFET Ширина: 1.6 mm Торговая марка: ON Semiconductor / Fairchild Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 15 S Время спада: 9 ns Тип продукта: MOSFET Время нарастания: 9 ns Подкатегория: MOSFETs Тип
Корпус
длина2.9 mm
другие названия товара №FDC638P_NL
Высота 1.1 мм
id - непрерывный ток утечки4.5 A
id - непрерывный ток утечки:4.5 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
количество каналов:1 Channel
коммерческое обозначениеPowerTrench
конфигурацияSingle Quad Drain
крутизна характеристики прямой передачи - мин.15 S
крутизна характеристики, s15 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальная рассеиваемая мощность pси макс..вт1.6 W
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности1.6 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораP-Channel
полярность транзистора:P-Channel
продуктMOSFET Small Signal
qg - заряд затвора:14 nC
рабочая температура:- 55 C + 150 C
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток48 mOhms
rds вкл - сопротивление сток-исток:48 mOhms
серияFDC638P
технологияSi
типичное время задержки при включении9 ns
типичное время задержки при включении:9 ns
типичное время задержки выключения33 ns
типичное время задержки выключения:33 ns
тип:MOSFET
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 P-Channel
тип транзистора:1 P-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
ТипMOSFET
упаковка / блокSSOT-6
vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
vds - напряжение пробоя сток-исток:20 V
вес, г0.036
vgs - напряжение затвор-исток12 V
vgs - напряжение затвор-исток:- 12 V, + 12 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :1.5 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания9 ns
время нарастания:9 ns
время спада9 ns
Ширина1.6 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль