FDB9403L-F085, Trans MOSFET N-CH 40V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:FDB9403L-F085
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
МОП-транзистор N-Channel Power Trench МОП-транзистор
Вес и габариты
длина
10.67 mm
другие названия товара №
FDB9403L_F085
Высота
4.83 мм
id - непрерывный ток утечки
110 A
канальный режим
Enhancement
категория продукта
МОП-транзистор
количество каналов
1 Channel
коммерческое обозначение
PowerTrench
конфигурация
Single
квалификация
AEC-Q101
максимальная рабочая температура
+ 175 C
минимальная рабочая температура
55 C
pd - рассеивание мощности
333 W
подкатегория
MOSFETs
полярность транзистора
N-Channel
qg - заряд затвора
186 nC
размер фабричной упаковки
800
rds вкл - сопротивление сток-исток
2 mOhms
серия
FDB9403L_F085
технология
Si
типичное время задержки при включении
16 ns
типичное время задержки выключения
142 ns
тип продукта
MOSFET
тип транзистора
1 N-Channel
торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild
упаковка / блок
TO-263-3
vds - напряжение пробоя сток-исток
40 V
vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1 V
вид монтажа
SMD/SMT
время нарастания
63 ns
время спада
107 ns
Ширина
9.65 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26