FDB20N50F

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор UF 500V 260MOHM F D2PAK
Вес и габариты
длина10.67 mm
Высота 4.83 мм
id - непрерывный ток утечки20 A
1 180
+
Бонус: 23.6 !
Бонусная программа
Итого: 1 180
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор UF 500V 260MOHM F D2PAK
Вес и габариты
длина10.67 mm
Высота 4.83 мм
id - непрерывный ток утечки20 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеUniFET
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.25 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности250 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора50 nC
размер фабричной упаковки800
rds вкл - сопротивление сток-исток260 mOhms
серияFDB20N50F
технологияSi
типичное время задержки при включении45 ns
типичное время задержки выключения100 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковка / блокTO-263-3
vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
вес, г1.762
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток5 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания120 ns
время спада60 ns
Ширина9.65 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль