FDB20N50F, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 20 А, 0.22 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:FDB20N50F
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
МОП-транзистор UF 500V 260MOHM F D2PAK
Вес и габариты
длина
10.67 mm
Высота
4.83 мм
id - непрерывный ток утечки
20 A
канальный режим
Enhancement
категория продукта
МОП-транзистор
количество каналов
1 Channel
коммерческое обозначение
UniFET
конфигурация
Single
крутизна характеристики прямой передачи - мин.
25 S
максимальная рабочая температура
+ 150 C
минимальная рабочая температура
55 C
pd - рассеивание мощности
250 W
подкатегория
MOSFETs
полярность транзистора
N-Channel
qg - заряд затвора
50 nC
размер фабричной упаковки
800
rds вкл - сопротивление сток-исток
260 mOhms
серия
FDB20N50F
технология
Si
типичное время задержки при включении
45 ns
типичное время задержки выключения
100 ns
тип продукта
MOSFET
тип транзистора
1 N-Channel
торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild
упаковка / блок
TO-263-3
vds - напряжение пробоя сток-исток
500 V
вес, г
0.5
vgs - напряжение затвор-исток
30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
5 V
вид монтажа
SMD/SMT
время нарастания
120 ns
время спада
60 ns
Ширина
9.65 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26