FDB16AN08A0

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
МОП-транзистор Discrete Auto N-Ch UltraFET Trench
Вес и габариты
длина10.67 mm
Высота 4.83 мм
id - непрерывный ток утечки58 A
880
+
Бонус: 17.6 !
Бонусная программа
Итого: 880
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор Discrete Auto N-Ch UltraFET Trench
Вес и габариты
длина10.67 mm
Высота 4.83 мм
id - непрерывный ток утечки58 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеPowerTrench
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности135 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора42 nC
размер фабричной упаковки800
rds вкл - сопротивление сток-исток13 mOhms
серияFDB16AN08A0
технологияSi
типичное время задержки при включении8 ns
типичное время задержки выключения28 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
ТипMOSFET
упаковка / блокTO-263-3
vds - напряжение пробоя сток-исток75 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания82 ns
время спада30 ns
Ширина9.65 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль