FDB150N10

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 100V N-Channel PowerTrench
Вес и габариты
длина10.67 mm
Высота 4.83 мм
id - непрерывный ток утечки57 A
1 180
+
Бонус: 23.6 !
Бонусная программа
Итого: 1 180
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 100V N-Channel PowerTrench
Вес и габариты
длина10.67 mm
Высота 4.83 мм
id - непрерывный ток утечки57 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеPowerTrench
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности110 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
размер фабричной упаковки800
rds вкл - сопротивление сток-исток15 mOhms
серияFDB150N10
технологияSi
типичное время задержки при включении47 ns
типичное время задержки выключения86 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковка / блокTO-263-3
vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
вес, г1.312
vgs - напряжение затвор-исток20 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания164 ns
время спада83 ns
Ширина9.65 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль