FDB12N50FTM_WS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 20, АБМОП-транзистор 500V 11.5A 0.7Ohm N-Channel
Вес и габариты
длина10.67 mm
другие названия товара №FDB12N50FTM_WS
Высота 4.83 мм
310
+
Бонус: 6.2 !
Бонусная программа
Итого: 310
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 20, АБМОП-транзистор 500V 11.5A 0.7Ohm N-Channel
Вес и габариты
длина10.67 mm
другие названия товара №FDB12N50FTM_WS
Высота 4.83 мм
id - непрерывный ток утечки11.5 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности165 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
размер фабричной упаковки800
rds вкл - сопротивление сток-исток590 mOhms
серияFDB12N50F
технологияSi
типичное время задержки при включении21 ns
типичное время задержки выключения50 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковка / блокTO-263-3
vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
вес, г1.875
vgs - напряжение затвор-исток30 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания45 ns
время спада35 ns
Ширина9.65 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль