FDB110N15A

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 150V N-Channel PowerTrench МОП-транзистор
Вес и габариты
channel modeEnhancement
channel typeN
длина10.67 mm
1 840
+
Бонус: 36.8 !
Бонусная программа
Итого: 1 840
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 150V N-Channel PowerTrench МОП-транзистор
Вес и габариты
channel modeEnhancement
channel typeN
длина10.67 mm
Высота 4.83 мм
id - непрерывный ток утечки92 A
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеPowerTrench
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.118 S
maximum continuous drain current92 A
maximum drain source resistance11 mΩ
maximum drain source voltage150 V
maximum gate source voltage-20 V, +20 V
maximum operating temperature+175 C
maximum power dissipation234 W
minimum gate threshold voltage2V
minimum operating temperature-55 C
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package typeD2PAK(TO-263)
pd - рассеивание мощности234 W
pin count3
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора47 nC
размер фабричной упаковки800
rds вкл - сопротивление сток-исток9.25 mOhms
seriesPowerTrench
серияFDB110N15A
технологияSi
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
transistor configurationSingle
transistor materialSi
typical gate charge @ vgs47 nC 10 V
упаковка / блокTO-263-3
vds - напряжение пробоя сток-исток150 V
вес, г1.312
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания26 ns
время спада14 ns
Ширина9.65 мм
width9.65mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль