FDB0300N1007L, Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FDB0300N1007L
Полевые МОП-транзисторы PowerTrench® onsemi / Fairchild МОП-транзисторы PowerTrench® предлагают широкий ассортимент полевых МОП-транзисторов в отрасли. Эти полевые МОП-транзисторы предлагают версии с N-каналом и P-каналом, которые оптимизированы для работы и надежности переключения с низким R DS (ON). Типичные приложения включают переключатели нагрузки, первичное переключение, мобильные вычисления, преобразователи постоянного тока в постоянный и синхронные выпрямители.
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
configuration:Single
factory pack quantity: factory pack quantity:800
1 310
+
Бонус: 26.2 !
Бонусная программа
Итого: 1 310
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полевые МОП-транзисторы PowerTrench® onsemi / Fairchild МОП-транзисторы PowerTrench® предлагают широкий ассортимент полевых МОП-транзисторов в отрасли. Эти полевые МОП-транзисторы предлагают версии с N-каналом и P-каналом, которые оптимизированы для работы и надежности переключения с низким R DS (ON). Типичные приложения включают переключатели нагрузки, первичное переключение, мобильные вычисления, преобразователи постоянного тока в постоянный и синхронные выпрямители.
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
configuration:Single
factory pack quantity: factory pack quantity:800
fall time:18 ns
forward transconductance - min:85 S
id - continuous drain current:200 A
manufacturer:onsemi
maximum operating temperature:+175 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
number of channels:1 Channel
package/case:TO-263-7
packaging:Reel, Cut Tape, MouseReel
pd - power dissipation:3.8 W
product category:MOSFET
product type:MOSFET
qg - gate charge:81 nC
rds on - drain-source resistance:11 mOhms
rise time:29 ns
series:FDB0300N1007L
subcategory:MOSFETs
technology:Si
transistor polarity:N-Channel
transistor type:1 N-Channel
typical turn-off delay time:52 ns
typical turn-on delay time:28 ns
vds - drain-source breakdown voltage:100 V
vgs - gate-source voltage:-20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage:2 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль