FDA20N50F

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 500V N-Channel
Вес и габариты
channel typeN Channel
длина16.2 mm
drain source on state resistance0.22Ом
1 230
+
Бонус: 24.6 !
Бонусная программа
Итого: 1 230
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 500V N-Channel
Вес и габариты
channel typeN Channel
длина16.2 mm
drain source on state resistance0.22Ом
Высота 20.1 мм
id - непрерывный ток утечки22 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
количество выводов3вывод(-ов)
коммерческое обозначениеUniFET
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
монтаж транзистораThrough Hole
напряжение истока-стока vds500В
напряжение измерения rds(on)10В
непрерывный ток стока22А
pd - рассеивание мощности388 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
пороговое напряжение vgs
power dissipation388Вт
рассеиваемая мощность388Вт
размер фабричной упаковки450
rds вкл - сопротивление сток-исток260 mOhms
серияFDA20N50F
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.22Ом
стиль корпуса транзистораTO-3PN
технологияSi
типичное время задержки при включении45 ns
типичное время задержки выключения100 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковкаTube
упаковка / блокTO-3PN-3
vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
вес, г6.401
vgs - напряжение затвор-исток30 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания120 ns
время спада60 ns
Ширина5 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль