FCPF650N80Z

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор SF2 800V 650MOHM E TO220F
Вес и габариты
длина10.36 mm
Высота 16.07 мм
id - непрерывный ток утечки8 A
940
+
Бонус: 18.8 !
Бонусная программа
Итого: 940
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор SF2 800V 650MOHM E TO220F
Вес и габариты
длина10.36 mm
Высота 16.07 мм
id - непрерывный ток утечки8 A
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеSuperFET II
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности30.5 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора27 nC
размер фабричной упаковки1000
rds вкл - сопротивление сток-исток650 mOhms
серияFCPF650N80Z
технологияSi
типичное время задержки при включении17 ns
типичное время задержки выключения40 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220FP-3
vds - напряжение пробоя сток-исток800 V
вес, г2.27
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4.5 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания11 ns
время спада3.4 ns
Ширина4.9 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль