FCPF190N60

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор SuperFET2, 190mohm
Вес и габариты
длина10.36 mm
Высота 16.07 мм
id - непрерывный ток утечки20.2 A
930
+
Бонус: 18.6 !
Бонусная программа
Итого: 930
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор SuperFET2, 190mohm
Вес и габариты
длина10.36 mm
Высота 16.07 мм
id - непрерывный ток утечки20.2 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеSuperFET II
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности39 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора74 nC
размер фабричной упаковки1000
rds вкл - сопротивление сток-исток199 mOhms
серияFCPF190N60
технологияSi
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
вес, г2.27
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.5 V
вид монтажаThrough Hole
Ширина4.9 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль