FCPF16N60NT, Транзистор, N-канал 600В 16А [TO-220F]

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FCPF16N60NT
SupreMOS – это семейство 600В MOSFET транзисторов, выполненных по технологии super-junction. Эти транзисторы с сопротивлением открытого канала 165 мОм FCP22N60N, FCPF22N60NT и FCA22N60N и 199 мОм FCP16N60N, FCPF16N60NT и FCA16N60N имеют лучшие в своем классе характеристики по быстродействию (di/dt и dv/dt) и позволяют повысить плотность мощности и КПД источников питания и, при этом, за счет большого напряжения пробоя и отличных характеристик встроенного диода, обеспечивают высокий уровень надежности....
Корпус
крутизна характеристики, s13
максимальная рассеиваемая мощность pси макс..вт35.7
670
+
Бонус: 13.4 !
Бонусная программа
Итого: 670
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
SupreMOS – это семейство 600В MOSFET транзисторов, выполненных по технологии super-junction. Эти транзисторы с сопротивлением открытого канала 165 мОм FCP22N60N, FCPF22N60NT и FCA22N60N и 199 мОм FCP16N60N, FCPF16N60NT и FCA16N60N имеют лучшие в своем классе характеристики по быстродействию (di/dt и dv/dt) и позволяют повысить плотность мощности и КПД источников питания и, при этом, за счет большого напряжения пробоя и отличных характеристик встроенного диода, обеспечивают высокий уровень надежности. Первые представители семейства – FCP16N60N и FCP22N60N, доступны в корпусах TO220, TO220F и TO3PN. У FCP16N60N параметр RDS(ON) равен 199 мОм, а у FCP22N60N – 165 мОм. MOSFET-транзисторы характеризуются отличной скоростью нарастания напряжения dv/dt как самого транзистора, так и встроенного диода. Кроме того, они обладают хорошими значениями лавинной энергии. Отличительные особенности: • Низкое сопротивление в открытом состоянии RDS(ON) = 20 мОм на см2 • dv/dt диода: 20 В/нс (при 200 А/мкс) • dv/dt транзисто
Корпус
крутизна характеристики, s13
максимальная рассеиваемая мощность pси макс..вт35.7
максимальное напряжение сток-исток uси,в600
максимальное напряжение затвор-исток uзи макс.,в30
максимальный ток сток-исток при 25 с iси макс..а16
пороговое напряжение на затворе2…4
сопротивление канала в открытом состоянии rси вкл. (max) при id, rds (on)0.199 Ом/8А, 10В
Структураn-канал
вес, г2
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль