FCP190N65S3R0

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор SUPERFET3 650V TO220 PKG
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки17 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
800
+
Бонус: 16 !
Бонусная программа
Итого: 800
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор SUPERFET3 650V TO220 PKG
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки17 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности144 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора33 nC
размер фабричной упаковки800
rds вкл - сопротивление сток-исток190 mOhms
серияSuperFET3
технологияSi
типичное время задержки при включении17 ns
типичное время задержки выключения42 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel SuperFET III MOSFET
торговая маркаON Semiconductor
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
вес, г2.03
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.5 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания16 ns
время спада6 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль