Name: FCP125N65S3R0, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 650 В, 24 А, 0.105 Ом, TO-220, Through Hole
SKU: FCP125N65S3R0

SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance.

Подробное описание

Вес и габариты
channel mode	Enhancement
channel type	N
forward diode voltage	1.2V

Все характеристики

760 ₽

– +

Бонус: 15.2 !

Бонусная программа

Итого: 760 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Вес и габариты
channel mode	Enhancement
channel type	N
forward diode voltage	1.2V
maximum continuous drain current	24 A
maximum drain source resistance	125 mΩ
maximum drain source voltage	650 V
maximum gate source voltage	±30 V
maximum gate threshold voltage	4.5V
maximum operating temperature	+150 C
maximum power dissipation	181 W
minimum gate threshold voltage	2.5V
minimum operating temperature	-55 C
mounting type	Through Hole
number of elements per chip	1
package type	TO-220
pin count	3
transistor configuration	Single
typical gate charge @ vgs	46 nC 10 V
вес, г	0.1
width	4.7mm

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки